شرکت اینتل اعلام کرد مراحل توسعه فرآیند ساخت تراشه های 1.8 و 2 نانومتری را به پایان رساند.
براساس گزارش وب سایت توماس هاردوار؛ اینتل یک گام به رهبری فناوری ساخت تراشه های زیر 2 نانومتر نزدیک‌تر می‌شود. این شرکت به تازگی اعلام کرد که توسعه فرآیندهای ساخت تراشه های اینتل 18A و 20A را به پایان رسانیده است. این تراشه در کارخانه های ساخت تراشه IFS اینتل مورد استفاده قرار می گیرد.
وانگ روی، رئیس شرکت اینتل مستقر در چین گفت: " این شرکت توسعه فرآیندهای ساخت اینتل 18A (کلاس 18 آنگستروم) و اینتل 20A (کلاس 20 آنگستروم) را تکمیل کرد. البته هنوز این گره‌ها آماده تولید انبوه نیستند و فقط مشخصات، مواد، شرایط و اهداف هر دو فناوری مشخص شده است.
فناوری ساخت گره 20A اینتل از ترانزیستورهای RibbonFET برای انتقال قدرت پشتی استفاده می کند. کوچک شدن سطوح فلزی، ساختار ترانزیستوری جدید و افزودن همزمان برق در پشت کار خیلی خطرناکی است. اما، اینتل می تواند با تراشه 20A از رقبای خود مانند TSMC و Samsung Foundry پیشی بگیرد. اینتل قصد دارد تولید انبوه گره های 20A را تا نیمه اول سال 2024 آغاز کند.
فرآیند تولید 18A اینتل، از ترکیب ترانزیستورهای RibbonFET و PowerVia این شرکت استفاده می کند تا بتواند اندازه‌های ترانزیستور را کاهش دهد. توسعه این گره با سرعت بیشتری در حال انجام است تا اندازه ای که، اینتل مراسم رونمایی این تراشه را از سال 2025 به نیمه دوم سال 2024 موکول کرد. اینتل در ابتدا قصد داشت از اسکنرهای Twinscan EXE شرکت هلندی ASML با دیافراگم عددی 0.55 (NA) برای گره 1.8 نانومتری آنگستروم خود استفاده کند، اما تصمیم گرفت به جای آن از اسکنرهای Twinscan NXE با اپتیک NA 0.33 استفاده کند.
فناوری‌های ساخت 18A و 20A اینتل قرار است هم در ساخت محصولات این شرکت و هم در ساخت تراشه‌های شرکت ریخته گری IFS استفاده شود. پت گلسینگر، مدیر اجرایی اینتل در کنفرانس مطبوعاتی اخیر خود گفت:" هفت شرکت از 10 شرکت ریخته گری جهان از خریداران تراشه های ما به صورت مستقیم هستند و 43 مشتری دیگر هم به صورت غیر مستقیم از مشتریان تراشه های جدید ما هستند. ما در هفته های اخیر کیت طراحی تراشه را آماده کرده ایم و به مشتریان اصلی خود به اشتراک گذاشتیم. پیش بینی می کنیم تا چند هفته آینده نسخه نهایی این تراشه را برای تولید آماده کنیم. "