یکی از خبرگزاری های ژاپن فاش کرد که شرکت چینی SMIC با وجود تحریم های ایالات متحده در حال ساخت تراشه های 3 نانومتری است.

خبرگزاری ژاپنی Nikkei در گزارش جدید خود ادعا کرد که بزرگترین کارخانه تراشه سازی چین(SMIC) در حال توسعه فناوری 3 نانومتری ساخت تراشه است. این در حال است که وزارت بازرگانی ایالات متحده با اجرای تحریم های سفت وسخت سعی دارد از دسترسی پکن به تجهیزات ساخت تراشه های پیشرفته نظامی جلوگیری کند.

طبق این گزارش به نظر می رسد شرکت SMIC مشغول توسعه فناوری کلاس 7 نانومتری ساخت تراشه است. این تراشه ها می تواند برای تولید پردازنده های گوشی های هوشمند استفاده شود. هدف SMIC از توسعه این فناوری دست یابی به نفاوری ساخت تراشه های 5 نانومتری و 3 نانومتری است. کار توسعه فناوری ساخت تراشه را تیم تحقیق و توسعه این شرکت بعهده دارد. این تیم را یکی از مدیران اجرایی به نام لیانگ مونگ سونگ، دانشمند مشهور صنعت نیمه هادی هدایت می کند. این دانشمند قبل از این شرکت، در کارخانه های تراشه سازی TSMC و سامسونگ خدمت کرده بود. او یکی از دانشمندان مهم صنعت نیمه هادی محسوب می شود.

این خبر می تواند برای کشورهای دیگه از جمله کشور ما ایران الهام بخش باشد. ایالات متحده نتوانست با اعمال تحریم های شدید مانع از دستیابی SMIC به فناوری 7 نانومتری ساخت تراشه های پیشرفته شود. این تحریم ها فقط توانست سرعت دستیابی آنها را کندتر کند اما، در نهایت به نفع پکن تمام شد. شرکت SMIC پنجمین سازنده بزرگ تراشه در این صنعت به حساب می آید. با اجرای تحریم های ایالات متحده علیه چین، SMIC نتوانست به ویفرها و تجهیزات لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) شرکت هلندی ASML دست پیدا کند. اما موفق شد با همان ابزار لیتوگرافی عمیق فرابنفش (DUV) فناوری 7 نانومتری را توسعه دهد.

دستگاه های لیتوگرافی ASML Twinscan NXT:2000i در حال حاضر بهترین ابزارهای موجود برای SMIC به حساب می آید. بهترین ابزارهای موجود برای SMIC در حال حاضر هستند. این دستگاه ها می توانند تا رزولوشن تولید 38 نانومتری را اچ کنند . این میزان دقت برای چاپ سطوح فلزی 38 نانومتری فقط از طریق الگوی دوگانه امکانپذیر است.

الگوی دوگانه یک روش چاپ لیتوگرافی است که از دو لایه نور برای ایجاد یک طرح چاپی روی ویفر استفاده می کند. این تکنیک می تواند دقت چاپ را بهبود بخشد و به تولید تراشه های کوچکتر با استفاده از دستگاه های لیتوگرافی با رزولوشن کمتر کمک کند.

طبق گزارش AML و IMEC، گام های فلزی در تراشه های 5 نانومتری و 3 نانومتری را به ترتیب به 30-32 نانومتر و 21-24 نانومتر کاهش می یابد. این بدان معناست که برای تولید این تراشه ها، دقت چاپ بیشتری لازم است. با این حال، چندین روش الگوبرداری وجود دارد که می تواند به SMIC کمک کند تا بدون فناوری EUV ، تراشه های 3 نانومتری تولید کند. این گزینه ها می تواند شامل استفاده از الگوی دوگانه پیشرفته، مواد جدید و روش های جدید چاپ لیتوگرافی باشد. اما همه این روش ها زمان بر هستند و باعث فرسایش بیشتر تجهیزات ساخت تراشه شوند. علاوه براین، هزینه تولید تراشه را هم افزایش می دهد. SMIC از الگوهای سه‌گانه، چهارگانه یا گاهی اوقات پنج‌گانه برای دستیابی به گره های فرآیندی پایین تر استفاده می‌کند. طراحی فرآیند ساخت کلاس 3 نانومتری فقط با دستگاه های DUV نقطه عطف مهمی برای SMIC است. با این همه، باید دید عملکرد تراشه در محصولات چگونه خواهد بود.