به دلیل نرخ پایین میزان بهره وری تراشه های سامسونگ، ساخت تراشه های اسنپدراگون 8 نسل 4 فقط در انحصار TSMC خواهد بود.

براساس گزارش های فن تک؛ در سال 2022 کوالکام تولید تراشه های اسنپدراگون 8 نسل 1 را به TSMC واگذار کرد . این تراشه ها بهره وری پایینی داشت اما سامسونگ فرآیند تولید را بهبود بخشید تا جایی که در سال 2023، کوالکام اعلام کرد که ممکن است از هر دو کارخانه TSMC و سامسونگ برای تولید پردازنده های اسنپدراگون 8 نسل 4 استفاده کند. اما در آگوست امسال شایعاتی مطرح شد که تمام پردازنده های اسنپدراگون بعدی را کارخانه Samsung Foundry با استفاده از گره 3 نانومتری Gate All-Around (GAA) تولید خواهد کرد.

تفاوت ترانزیستورهای FinFET با GAA در چیست؟

کارخانه TSMC از ترانزیستورهای FinFET در گره فرآیندی 3 نانومتری استفاده می کند اما، ترانزیستورهای GAA نوع دیگری از FET هستند که در آن کانال جریان از طریق یک ساختار دو بعدی به نام نانوصفحه (nanosheet) تشکیل می شود. ترانزیستورهای FinFET دارای یک گیت در بالای فین هستند که جریان را کنترل می کند. با این حال، گیت فقط سه طرف کانال را احاطه می کند. این امر می تواند منجر به نشتی جریان شود، زیرا جریان می تواند از طریق کانال اطراف گیت به مدارهای مجاور نشت کند. اما، ترانزیستورهای GAA یک گیت در اطراف کل نانوصفحه دارند. این کار از نشتی جریان جلوگیری می کند و جریان درایو را افزایش می دهد . جریان درایو به مقدار جریانی گفته می شود که برای فعال کردن ترانزیستور مورد نیاز است. جریان درایو بالاتر به معنای عملکرد بهتر تراشه است. به بیان ساده تر، تراشه انرژی کمتری مصرف می کند. سازنده تایوانی اعلام کرد تا زمانی که تولید تراشه های 2 نانومتری را آغاز نکند ترانزیستورهای تراشه را به GAA تغییر نمی دهد.

با تمام این اوصاف؛ رسانه های تایوانی ادعا می کنند که TSMC در مورد ساخت تراشه های نسل چهارم با فرآیند 3 نانومتری هنوز با شرکت کوالکام در حال مذاکره است. به نظر می رسد در نهایت تراشه های بعدی با استفاده از گره پردازش 3 نانومتری TSMC تولید خواهد شد.

شرکت مستقر کوالکام در سن دیگو، از تراشه های جدید در اولین گوشی های هوشمند استفاده می کند. این اولین دستگاهی خواهد بود که مجهز به هسته های سفارشی Oryonکوالکام می شود. هسته های Oryon بر اساس معماری ARMv9 طراحی شده اند و دارای عملکرد و کارایی بهتری نسبت به هسته های Cortex-X2 موجود در پردازنده های Snapdragon 8 Gen 1 هستند. اما، با این حال باید منتظر انتشار تست بنچمارک آن بمانیم تا ببینیم این خبرها تا چه حدی صحت دارد.
کوالکام از ساخت تراشه پرچمدار AP هم غافل نشد. براساس گزارش Tech News این شرکت تصمیم گرفت ساخت تراشه های اسنپدراگون8 نسل پنجم AP را به Samsung Foundry و TSMC واگذار کند. در حال حاضر، ساخت تراشه های نسل پنجم به سال 2025 موکول شده است. اما آیا در گذشته هم تولید انبوه تراشه ها به دو شرکت محول می شد یا خیر؟! اپل در سال 2015 تراشه A9 آیفون های سری 6 را از دو شرکت TSMC و سامسونگ تهیه کرده بود. این تراشه توسط Samsung Foundry با استفاده از فرآیند 14 نانومتری FinFET LPE و توسط TSMC با فرآیند 16 نانومتری FinFET ساخته شده بود.